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厂商型号

MPSA42RA 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Transistor High Voltage

内部编号

3-MPSA42RA

#1

数量:11467
1+¥0.5394
25+¥0.5394
100+¥0.4623
500+¥0.4623
1000+¥0.4623
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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MPSA42RA产品详细规格

规格书 MPSA42RA datasheet 规格书
MPSA42, MMBTA42, PZTA42
MPSA42RA datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 30mA, 10V
功率 - 最大 625mW
频率转换 50MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最小直流电流增益 25@1mA@10V|40@10mA@10V|40@30mA@10V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 50(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 300
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 300
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 2mA, 20mA
标准包装 2,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 30mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 2000
集电极 - 发射极饱和电压 0.5 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 625 mW
直流集电极/增益hfe最小值 40
集电极最大直流电流 0.5 A
增益带宽产品fT 50 MHz (Min)
集电极 - 发射极最大电压VCEO 300 V
单位重量 0.007090 oz
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 200 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.5 A
集电极电流( DC)(最大值) 0.5 A
集电极 - 基极电压 300 V
集电极 - 发射极电压 300 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 50 MHz
功率耗散 0.625 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
直流电流增益(最小值) 25
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 50 MHz
集电极电流(DC ) 0.5 A
直流电流增益 25

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